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RN2610(TE85L,F)
| EXSHINE 部品型番: | EX-RN2610(TE85L,F) |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | RN2610(TE85L,F) |
| メーカー / ブランド: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 簡単な説明: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | New and unused, Original |
| ドキュメントをダウンロードする: | RN2610-11 |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
RN2610(TE85L,F)
在庫あり： 8189 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
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- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 50V |
|---|---|
| IB、IC @ Vce飽和（最大） | 300mV @ 250µA, 5mA |
| トランジスタ型式 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SM6 |
| シリーズ | - |
| 抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム） | - |
| 抵抗 - ベース（R1）（オーム） | 4.7k |
| 電力 - 最大 | 300mW |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | SC-74, SOT-457 |
| 他の名前 | RN2610(TE85LF)TR |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | RN2610(TE85L,F) |
| 周波数 - トランジション | 200MHz |
| 拡張された説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| 説明 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） | 120 @ 1mA, 5V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA (ICBO) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 100mA |
その他のパラメータ
| 他の名前 | RN2610(TE85LF)TR |
|---|---|
| 標準パッケージ | 3,000 |
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ウエスタンユニオン 受信：1〜2時間。 |
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Toshiba Semiconductor and Storageはじめに
- Touchstone Semiconductor Inc.は、エレクトロニクス企業にとって重要な問題を解決する高性能アナログ集積回路（IC）ソリューションを開発しています。当社の独自の製品は、アナログ市場の他の場所では見られない独自の機能と性能の組み合わせを提供します。当社の第2の製品はピン互換であり、競合品と同一の仕様であり、堅いソール・ソーシング製品のための理想的な代替品を提供します。 Touchstoneは2010年に設立され、カリフォルニア州ミルピタスに本社を置く。投資家には、Opus CapitalとKhosla Venturesが含まれる。
Touchstone Semiconductor社の使命は、顧客の問題を解決するのに役立つ、クールな高性能アナログICを設計することです。これは、製品の消費電力を低減する超低消費電力の高性能アナログICを開発することで実現しています。