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IXTP3N100D2
| EXSHINE 部品型番: | EX-IXTP3N100D2 |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | IXTP3N100D2 |
| メーカー / ブランド: | IXYS Corporation |
| 簡単な説明: | MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | New and unused, Original |
| ドキュメントをダウンロードする: | IXT(A,P)3N100D2 |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
IXTP3N100D2
在庫あり： 23110 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
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- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
|---|---|
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V |
| 電力消費（最大） | 125W (Tc) |
| パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 8 Weeks |
| 製造元の部品番号 | IXTP3N100D2 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1020pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 37.5nC @ 5V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | Depletion Mode |
| 拡張された説明 | N-Channel 1000V (1kV) 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000V (1kV) |
| 説明 | MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Tc) |
その他のパラメータ
| 標準パッケージ | 50 |
|---|
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IXYSはじめに
- 通信、産業、電力、および消費者向けの高電圧集積回路（IC）と光学的に絶縁されたソリッドステートリレー（OptoMOS®）の設計、製造、販売を行うIXYS Integrated Circuits Division（旧Clare、Inc.、IXYS社）市場。
ソリッドステートリレー（SSR）の開発のパイオニアとして、電気通信、セキュリティ、公益計量、産業制御産業のリーディングサプライヤーとなっています。 IXYSの集積回路部門SSRソリューションは、多くのアプリケーションで古いエレクトロメカニカルデバイスを急速に置き換え、システム全体のパフォーマンスを向上させています。彼らは高度な統合と電気的性能を提供するリーダーシップ製品を開発し続けています。