IPI08CNE8N G

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IPI08CNE8N G

EXSHINE 部品型番:EX-IPI08CNE8N G
メーカー 部品型番:IPI08CNE8N G
メーカー / ブランド:Infineon Technologies
簡単な説明:MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:IP(B,I,P)08CNE8N G
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IPI08CNE8N G
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将来の在庫:7-10日で12000個。
メーカーリードタイム:8-10週間

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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 130µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 6.4 mOhm @ 95A, 10V
電力消費(最大) 167W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前 SP000208927
SP000680708
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
製造元の部品番号 IPI08CNE8N G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6690pF @ 40V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 99nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 85V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
ソース電圧(VDSS)にドレイン 85V
説明 MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 95A (Tc)

その他のパラメータ

他の名前 SP000208927

SP000680708
標準パッケージ 500

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