EXSHINE 部品型番: | EX-US6J2TR |
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メーカー 部品型番: | US6J2TR |
メーカー / ブランド: | LAPIS Semiconductor |
簡単な説明: | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
仕様条件: | 1 |
ドキュメントをダウンロードする: | US6J2 |
アプリケーション: | - |
重さ: | - |
オルタナティブ: | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 1mA |
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サプライヤデバイスパッケージ | TUMT6 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
電力 - 最大 | 1W |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号 | US6J2TR |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 150pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
FET特長 | Logic Level Gate |
拡張された説明 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1A 1W Surface Mount TUMT6 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
説明 | MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1A |
標準パッケージ | 3,000 |
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