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APT70GR65B2SCD30

EXSHINE 部品型番:EX-APT70GR65B2SCD30
メーカー 部品型番:APT70GR65B2SCD30
メーカー / ブランド:Microsemi
簡単な説明:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
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APT70GR65B2SCD30
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製品パラメータ

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 650V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) 2.4V @ 15V, 70A
試験条件 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃ 19ns/170ns
サプライヤデバイスパッケージ T-MAX™ [B2]
シリーズ *
電力 - 最大 595W
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース TO-247-3
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 22 Weeks
製造元の部品番号 APT70GR65B2SCD30
IGBTタイプ NPT
ゲートチャージ 305nC
拡張された説明 IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
説明 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
電流 - コレクタパルス(ICM) 260A
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 134A

その他のパラメータ

標準パッケージ 1

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