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APTM120A65FT1G

EXSHINE 部品型番:EX-APTM120A65FT1G
メーカー 部品型番:APTM120A65FT1G
メーカー / ブランド:Microsemi
簡単な説明:MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:APTM120A65FT1GPower Products Catalog
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APTM120A65FT1G
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メーカーリードタイム:8-10週間

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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 2.5mA
サプライヤデバイスパッケージ SP1
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 780 mOhm @ 14A, 10V
電力 - 最大 390W
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース SP1
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 22 Weeks
製造元の部品番号 APTM120A65FT1G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 7736pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 300nC @ 10V
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長 Standard
拡張された説明 Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 16A 390W Chassis Mount SP1
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1200V (1.2kV)
説明 MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 16A

その他のパラメータ

標準パッケージ 1

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