JANTXV2N6352-Microsemi Corporation-JANTXV2N6352-EXSHINE TECHNOLOGYを購入

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JANTXV2N6352

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JANTXV2N6352
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	80V
IB、IC @ Vce飽和（最大）	1.5V @ 5mA, 5A
トランジスタ型式	NPN - Darlington
サプライヤデバイスパッケージ	TO-66 (TO-213AA)
シリーズ	Military, MIL-PRF-19500/472
電力 - 最大	2W
パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	TO-213AA, TO-66-2
他の名前	1086-16203 1086-16203-MIL
運転温度	-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
製造元の部品番号	JANTXV2N6352
周波数 - トランジション	-
拡張された説明	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 5A 2W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
説明	TRANS NPN DARL 80V 5A TO-33
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	2000 @ 5A, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）	-
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	5A

他の名前	1086-16203 1086-16203-MIL
標準パッケージ	1

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