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SI5902DC-T1-E3
| EXSHINE 部品型番: | EX-SI5902DC-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | SI5902DC-T1-E3 |
| メーカー / ブランド: | Vishay / Siliconix |
| 簡単な説明: | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | New and unused, Original |
| ドキュメントをダウンロードする: | SI5902DC |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
SI5902DC-T1-E3
在庫あり： 64814 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
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- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85 mOhm @ 2.9A, 10V |
| 電力 - 最大 | 1.1W |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| 他の名前 | SI5902DC-T1-E3TR SI5902DCT1E3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | SI5902DC-T1-E3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| 拡張された説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.9A |
その他のパラメータ
| 標準パッケージ | 3,000 |
|---|---|
| 他の名前 | SI5902DC-T1-E3TR SI5902DCT1E3 |
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ウエスタンユニオン 受信：1〜2時間。 |
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送金サービス 受信：1〜2時間。 |
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アリペイ 受け取り：すぐに。 |
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FEDEX EXPRESS 納期：1〜3日。 |
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Vishay Siliconixはじめに
- ビシェイの製品ポートフォリオは、ディスクリート半導体（ダイオード、MOSFET、オプトエレクトロニクス）と受動部品（抵抗、インダクタ、コンデンサ）の比類なき集積です。これらのコンポーネントは、産業、コンピューティング、自動車、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、および医療市場における事実上すべてのタイプの電子デバイスおよび機器に使用されています。ビシェイはexshinetech.comの主要パートナーであることを誇りに思っています。