SIR418DP-T1-GE3

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SIR418DP-T1-GE3

EXSHINE 部品型番:EX-SIR418DP-T1-GE3
メーカー 部品型番:SIR418DP-T1-GE3
メーカー / ブランド:Vishay / Siliconix
簡単な説明:MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:SIR418DP
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SIR418DP-T1-GE3
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 2.4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 5 mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 39W (Tc)
パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
他の名前 SIR418DP-T1-GE3DKR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 24 Weeks
製造元の部品番号 SIR418DP-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2410pF @ 20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 75nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 40V 40A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 40V
説明 MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 40A (Tc)

その他のパラメータ

他の名前 SIR418DP-T1-GE3DKR
標準パッケージ 1

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Vishay Siliconixはじめに

- ビシェイの製品ポートフォリオは、ディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、オプトエレクトロニクス)と受動部品(抵抗、インダクタ、コンデンサ)の比類なき集積です。これらのコンポーネントは、産業、コンピューティング、自動車、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、および医療市場における事実上すべてのタイプの電子デバイスおよび機器に使用されています。ビシェイはexshinetech.comの主要パートナーであることを誇りに思っています。

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