SQJ456EP-T1_GE3

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SQJ456EP-T1_GE3

EXSHINE 部品型番:EX-SQJ456EP-T1_GE3
メーカー 部品型番:SQJ456EP-T1_GE3
メーカー / ブランド:Vishay / Siliconix
簡単な説明:MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:SQJ456EP
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SQJ456EP-T1_GE3
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 26 mOhm @ 9.3A, 10V
電力消費(最大) 83W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
他の名前 SQJ456EP-T1-GE3
SQJ456EP-T1-GE3-ND
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 18 Weeks
製造元の部品番号 SQJ456EP-T1_GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3342pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 63nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 100V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100V
説明 MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 32A (Tc)

その他のパラメータ

他の名前 SQJ456EP-T1-GE3

SQJ456EP-T1-GE3-ND
標準パッケージ 3,000

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Vishay Siliconixはじめに

- ビシェイの製品ポートフォリオは、ディスクリート半導体(ダイオード、MOSFET、オプトエレクトロニクス)と受動部品(抵抗、インダクタ、コンデンサ)の比類なき集積です。これらのコンポーネントは、産業、コンピューティング、自動車、消費者、電気通信、軍事、航空宇宙、および医療市場における事実上すべてのタイプの電子デバイスおよび機器に使用されています。ビシェイはexshinetech.comの主要パートナーであることを誇りに思っています。

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