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EPC2105ENG
| EXSHINE 部品型番: | EX-EPC2105ENG |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | EPC2105ENG |
| メーカー / ブランド: | EPC |
| 簡単な説明: | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | New and unused, Original |
| ドキュメントをダウンロードする: | EPC2105 Preliminary~ |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
EPC2105ENG
在庫あり： 13273 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
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- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| 電力 - 最大 | - |
| パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | Die |
| 他の名前 | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | EPC2105ENG |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300pF @ 40V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特長 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 拡張された説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V |
| 説明 | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.5A, 38A |
その他のパラメータ
| 他の名前 | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
|---|---|
| 標準パッケージ | 10 |
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ペイパル 受け取り：すぐに。 |
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ウエスタンユニオン 受信：1〜2時間。 |
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送金サービス 受信：1〜2時間。 |
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アリペイ 受け取り：すぐに。 |
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FEDEX EXPRESS 納期：1〜3日。 |
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EMSエクスプレス 納期：7-10日。 |
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EPCはじめに
- EPCOS製品は、電子部品、モジュール、システム、およびデバイスの大手メーカーの1つであるTDK Corporationの製品ポートフォリオの一部です。受動電子部品の幅広いポートフォリオには、コンデンサ、フェライト、インダクタ、表面弾性波（SAW）フィルタ製品、ピエゾおよび保護部品、センサなどの高周波部品が含まれます。これらのコンポーネントは、製品ブランドTDKおよびEPCOSで販売されています。