FDFM2N111

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FDFM2N111

EXSHINE 部品型番:EX-FDFM2N111
メーカー 部品型番:FDFM2N111
メーカー / ブランド:Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明:MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:1
ドキュメントをダウンロードする:FDFM2N111
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FDFM2N111
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 1.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ MicroFET 3x3mm
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 100 mOhm @ 4A, 4.5V
電力消費(最大) 1.7W (Ta)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 6-MLP, Power33
他の名前 FDFM2N111-ND
FDFM2N111TR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 13 Weeks
製造元の部品番号 FDFM2N111
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 273pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 3.8nC @ 4.5V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
拡張された説明 N-Channel 20V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V
説明 MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A (Ta)

その他のパラメータ

他の名前 FDFM2N111-ND

FDFM2N111TR
標準パッケージ 3,000

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Fairchild/ON Semiconductorはじめに

・FDKグループは、お客様のニーズに合った電子機器や電池を製造供給することにより、豊かなエレクトロニクス社会の実現に貢献することを目指します。当社の顧客中心のアプローチに沿って、FDKは顧客製品の価値と機能を高める製品を提供しています。当社の材料、回路および高密度の技術は、長い間栽培されており、地球にやさしい製品を使用しています。私たちは、キーとカッティングデバイスの最善のサプライヤーとして世界中で認知されるよう努め、環境保護を促進しながら、これらのテクノロジーや新興テクノロジーのさらなる進歩を目指しています。

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