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FQH8N100C
| EXSHINE 部品型番: | EX-FQH8N100C |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | FQH8N100C |
| メーカー / ブランド: | Fairchild/ON Semiconductor |
| 簡単な説明: | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | New and unused, Original |
| ドキュメントをダウンロードする: | FQH8N100C |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
FQH8N100C
在庫あり： 37170 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
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メーカーリードタイム：8-10週間
- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| シリーズ | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.45 Ohm @ 4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 225W (Tc) |
| パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 37 Weeks |
| 製造元の部品番号 | FQH8N100C |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3220pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 拡張された説明 | N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000V (1kV) |
| 説明 | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) |
その他のパラメータ
| 標準パッケージ | 30 |
|---|
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Fairchild/ON Semiconductorはじめに
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