FQPF33N10

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FQPF33N10

EXSHINE 部品型番:EX-FQPF33N10
メーカー 部品型番:FQPF33N10
メーカー / ブランド:Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明:MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
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FQPF33N10
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メーカーリードタイム:8-10週間

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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
シリーズ QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 52 mOhm @ 9A, 10V
電力消費(最大) 41W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 6 Weeks
製造元の部品番号 FQPF33N10
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1500pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 51nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 100V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100V
説明 MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18A (Tc)

その他のパラメータ

標準パッケージ 50

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Fairchild/ON Semiconductorはじめに

・FDKグループは、お客様のニーズに合った電子機器や電池を製造供給することにより、豊かなエレクトロニクス社会の実現に貢献することを目指します。当社の顧客中心のアプローチに沿って、FDKは顧客製品の価値と機能を高める製品を提供しています。当社の材料、回路および高密度の技術は、長い間栽培されており、地球にやさしい製品を使用しています。私たちは、キーとカッティングデバイスの最善のサプライヤーとして世界中で認知されるよう努め、環境保護を促進しながら、これらのテクノロジーや新興テクノロジーのさらなる進歩を目指しています。

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