HUFA76419S3S

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HUFA76419S3S

EXSHINE 部品型番:EX-HUFA76419S3S
メーカー 部品型番:HUFA76419S3S
メーカー / ブランド:Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明:MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:HUFA76419P3, HUFA76419S3S
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HUFA76419S3S
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263AB)
シリーズ UltraFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 35 mOhm @ 29A, 10V
電力消費(最大) 75W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
製造元の部品番号 HUFA76419S3S
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 900pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 28nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 60V 29A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
説明 MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 29A (Tc)

その他のパラメータ

標準パッケージ 400

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Fairchild/ON Semiconductorはじめに

・FDKグループは、お客様のニーズに合った電子機器や電池を製造供給することにより、豊かなエレクトロニクス社会の実現に貢献することを目指します。当社の顧客中心のアプローチに沿って、FDKは顧客製品の価値と機能を高める製品を提供しています。当社の材料、回路および高密度の技術は、長い間栽培されており、地球にやさしい製品を使用しています。私たちは、キーとカッティングデバイスの最善のサプライヤーとして世界中で認知されるよう努め、環境保護を促進しながら、これらのテクノロジーや新興テクノロジーのさらなる進歩を目指しています。

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