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DB103G
| EXSHINE 部品型番: | EX-DB103G |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | DB103G |
| メーカー / ブランド: | GeneSiC Semiconductor |
| 簡単な説明: | DIODE BRIDGE 200V 1A DB |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | 1 |
| ドキュメントをダウンロードする: | DB101G~104GDB(S);MDBS;WOM Pkg Drawing |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
DB103G
在庫あり： 45531000 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
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メーカーリードタイム：8-10週間
- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 電圧 - ピーク逆（最大） | 200V |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1V @ 1A |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | DB |
| シリーズ | - |
| パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
| 他の名前 | 1242-1210 DB103GGN DB103GGN-ND |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 4 Weeks |
| 製造元の部品番号 | DB103G |
| 拡張された説明 | Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DB |
| ダイオードタイプ | Single Phase |
| 説明 | DIODE BRIDGE 200V 1A DB |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10µA @ 200V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A |
その他のパラメータ
| 標準パッケージ | 2,500 |
|---|---|
| 他の名前 | 1242-1210 DB103GGN DB103GGN-ND |
以下のお支払い方法をお選びいただけます。ご不明な点がございましたら、営業までお問い合わせください。
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ペイパル 受け取り：すぐに。 |
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ウエスタンユニオン 受信：1〜2時間。 |
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送金サービス 受信：1〜2時間。 |
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アリペイ 受け取り：すぐに。 |
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FEDEX EXPRESS 納期：1〜3日。 |
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UPSエクスプレス 配達時間：2-4日。 |
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TNT EXPRESS 納期：3-6日。 |
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EMSエクスプレス 納期：7-10日。 |
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GeneSiC Semiconductorはじめに
- 2007年に設立されたGlobal Power Technologies Group、Inc.（以下「GPTG」）は、SiC（Silicon Carbide）技術に基づく製品に特化した統合開発および製造会社です。これらの製品は、低コストで高効率の発電、変換および伝送に高度な技術が必要とされる将来のパワーエレクトロニクスおよびエネルギー産業の基盤となるでしょう。