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GA20JT12-263
| EXSHINE 部品型番: | EX-GA20JT12-263 |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | GA20JT12-263 |
| メーカー / ブランド: | GeneSiC Semiconductor |
| 簡単な説明: | TRANS SJT 1200V 45A |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | New and unused, Original |
| ドキュメントをダウンロードする: | GA20JT12-263 |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
GA20JT12-263
在庫あり： 99540 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
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メーカーリードタイム：8-10週間
- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
|---|---|
| Vgs（最大） | 3.44V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60 mOhm @ 20A |
| 電力消費（最大） | 282W (Tc) |
| パッケージング | - |
| パッケージ/ケース | - |
| 他の名前 | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 18 Weeks |
| 製造元の部品番号 | GA20JT12-263 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3091pF @ 800V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| FETタイプ | - |
| FET特長 | - |
| 拡張された説明 | 1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V (1.2kV) |
| 説明 | TRANS SJT 1200V 45A |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45A (Tc) |
その他のパラメータ
| 標準パッケージ | 50 |
|---|---|
| 他の名前 | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO |
以下のお支払い方法をお選びいただけます。ご不明な点がございましたら、営業までお問い合わせください。
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ペイパル 受け取り：すぐに。 |
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ウエスタンユニオン 受信：1〜2時間。 |
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送金サービス 受信：1〜2時間。 |
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アリペイ 受け取り：すぐに。 |
以下の配送オプションを選択できます。弊社の営業チームに連絡して、お客様の住所への送料を確認してください。
配送サービスを利用したくない場合は、倉庫からの集荷の手配や、宅配便での発送も可能です。
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FEDEX EXPRESS 納期：1〜3日。 |
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GeneSiC Semiconductorはじめに
- 2007年に設立されたGlobal Power Technologies Group、Inc.（以下「GPTG」）は、SiC（Silicon Carbide）技術に基づく製品に特化した統合開発および製造会社です。これらの製品は、低コストで高効率の発電、変換および伝送に高度な技術が必要とされる将来のパワーエレクトロニクスおよびエネルギー産業の基盤となるでしょう。