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KBJ2508G

EXSHINE 部品型番:EX-KBJ2508G
メーカー 部品型番:KBJ2508G
メーカー / ブランド:GeneSiC Semiconductor
簡単な説明:DIODE BRIDGE 800V 25A KBJ
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:KBJ2506G~2510GKBJ($A),KBJ_GBJ(xA),GBPC-W,GBU Dwg
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オルタナティブ:-
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KBJ2508G
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製品パラメータ

電圧 - ピーク逆(最大) 800V
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.05V @ 12.5A
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ KBJ
シリーズ -
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース 4-SIP, KBJ
他の名前 KBJ2508GGN
運転温度 -55°C ~ 125°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 4 Weeks
製造元の部品番号 KBJ2508G
拡張された説明 Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole KBJ
ダイオードタイプ Single Phase
説明 DIODE BRIDGE 800V 25A KBJ
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 10µA @ 800V
電流 - 平均整流(イオ​​) 25A

その他のパラメータ

他の名前 KBJ2508GGN
標準パッケージ 300

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GeneSiC Semiconductorはじめに

- 2007年に設立されたGlobal Power Technologies Group、Inc.(以下「GPTG」)は、SiC(Silicon Carbide)技術に基づく製品に特化した統合開発および製造会社です。これらの製品は、低コストで高効率の発電、変換および伝送に高度な技術が必要とされる将来のパワーエレクトロニクスおよびエネルギー産業の基盤となるでしょう。

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