KBU8M

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KBU8M

EXSHINE 部品型番:EX-KBU8M
メーカー 部品型番:KBU8M
メーカー / ブランド:GeneSiC Semiconductor
簡単な説明:DIODE BRIDGE 1000V 8A KBU
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:KBU8J~8MBR-3,6,8,10; KBPC-W;KBU Pkg Dwg
アプリケーション:-
重さ:-
オルタナティブ:-
のリアルタイム可用性
KBU8M
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将来の在庫:7-10日で12000個。
メーカーリードタイム:8-10週間

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製品パラメータ

電圧 - ピーク逆(最大) 1000V
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1V @ 8A
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ KBU
シリーズ -
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース 4-SIP, KBU
他の名前 1242-1284
KBU8MGN
KBU8MGN-ND
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 4 Weeks
製造元の部品番号 KBU8M
拡張された説明 Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole KBU
ダイオードタイプ Single Phase
説明 DIODE BRIDGE 1000V 8A KBU
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 10µA @ 1000V
電流 - 平均整流(イオ​​) 8A

その他のパラメータ

標準パッケージ 300
他の名前 1242-1284

KBU8MGN

KBU8MGN-ND

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GeneSiC Semiconductorはじめに

- 2007年に設立されたGlobal Power Technologies Group、Inc.(以下「GPTG」)は、SiC(Silicon Carbide)技術に基づく製品に特化した統合開発および製造会社です。これらの製品は、低コストで高効率の発電、変換および伝送に高度な技術が必要とされる将来のパワーエレクトロニクスおよびエネルギー産業の基盤となるでしょう。

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