MBR12045CT

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MBR12045CT

EXSHINE 部品型番:EX-MBR12045CT
メーカー 部品型番:MBR12045CT
メーカー / ブランド:GeneSiC Semiconductor
簡単な説明:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:MBR12045CT thru MBR120100CTRTwin Tower Pkg Drawing
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MBR12045CT
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製品パラメータ

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 650mV @ 60A
電圧 - 逆(VR)(最大) 45V
サプライヤデバイスパッケージ Twin Tower
速度 Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ -
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース Twin Tower
他の名前 1242-1019
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 4 Weeks
製造元の部品番号 MBR12045CT
拡張された説明 Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 120A (DC) Chassis Mount Twin Tower
ダイオードタイプ Schottky
ダイオード構成 1 Pair Common Cathode
説明 DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 3mA @ 20V
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり) 120A (DC)

その他のパラメータ

他の名前 1242-1019
標準パッケージ 25

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GeneSiC Semiconductorはじめに

- 2007年に設立されたGlobal Power Technologies Group、Inc.(以下「GPTG」)は、SiC(Silicon Carbide)技術に基づく製品に特化した統合開発および製造会社です。これらの製品は、低コストで高効率の発電、変換および伝送に高度な技術が必要とされる将来のパワーエレクトロニクスおよびエネルギー産業の基盤となるでしょう。

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