MBR2X080A080

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MBR2X080A080

EXSHINE 部品型番:EX-MBR2X080A080
メーカー 部品型番:MBR2X080A080
メーカー / ブランド:GeneSiC Semiconductor
簡単な説明:DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
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MBR2X080A080
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製品パラメータ

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 840mV @ 80A
電圧 - 逆(VR)(最大) 80V
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227
速度 Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ -
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
動作温度 - ジャンクション -40°C ~ 150°C
装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 4 Weeks
製造元の部品番号 MBR2X080A080
拡張された説明 Diode Array 2 Independent Schottky 80V 80A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
ダイオードタイプ Schottky
ダイオード構成 2 Independent
説明 DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 1mA @ 80V
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり) 80A

その他のパラメータ

標準パッケージ 10

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GeneSiC Semiconductorはじめに

- 2007年に設立されたGlobal Power Technologies Group、Inc.(以下「GPTG」)は、SiC(Silicon Carbide)技術に基づく製品に特化した統合開発および製造会社です。これらの製品は、低コストで高効率の発電、変換および伝送に高度な技術が必要とされる将来のパワーエレクトロニクスおよびエネルギー産業の基盤となるでしょう。

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