MURTA40020R

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MURTA40020R

EXSHINE 部品型番:EX-MURTA40020R
メーカー 部品型番:MURTA40020R
メーカー / ブランド:GeneSiC Semiconductor
簡単な説明:DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:MURTA40020 thru MURTA40040R
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MURTA40020R
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製品パラメータ

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.3V @ 200A
電圧 - 逆(VR)(最大) 200V
サプライヤデバイスパッケージ Three Tower
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース Three Tower
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 4 Weeks
製造元の部品番号 MURTA40020R
拡張された説明 Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200V 200A Chassis Mount Three Tower
ダイオードタイプ Standard
ダイオード構成 1 Pair Common Anode
説明 DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 25µA @ 200V
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり) 200A

その他のパラメータ

標準パッケージ 18

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GeneSiC Semiconductorはじめに

- 2007年に設立されたGlobal Power Technologies Group、Inc.(以下「GPTG」)は、SiC(Silicon Carbide)技術に基づく製品に特化した統合開発および製造会社です。これらの製品は、低コストで高効率の発電、変換および伝送に高度な技術が必要とされる将来のパワーエレクトロニクスおよびエネルギー産業の基盤となるでしょう。

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