71256L20YG

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71256L20YG

EXSHINE 部品型番:EX-71256L20YG
メーカー 部品型番:71256L20YG
メーカー / ブランド:IDT (Integrated Device Technology)
簡単な説明:IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:IDT71256S, L
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71256L20YG
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製品パラメータ

電源電圧 - 4.5 V ~ 5.5 V
サプライヤデバイスパッケージ 28-SOJ
速度 20ns
シリーズ -
パッケージング Tube
パッケージ/ケース 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
他の名前 800-2443-5
IDT71256L20YG
IDT71256L20YG-ND
運転温度 0°C ~ 70°C (TA)
水分感受性レベル(MSL) 3 (168 Hours)
メモリタイプ Volatile
記憶容量 256Kb (32K x 8)
メモリ形式 SRAM
メーカーの標準リードタイム 7 Weeks
製造元の部品番号 71256L20YG
インタフェース Parallel
説明 IC SRAM 256KBIT 20NS 28SOJ

その他のパラメータ

他の名前 800-2443-5

IDT71256L20YG

IDT71256L20YG-ND
標準パッケージ 27

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IDT, Integrated Device Technology Incはじめに

- インテグレーテッド・シリコン・ソリューションズ(ISSI)は、次の主要市場向けに、自動車、通信、通信、デジタル・コンシューマー、およびデジタル・コンシューマー向けの高性能集積回路を設計、開発、販売する技術リーダーです。 iv)産業および医療。主な製品は、高速かつ低消費電力のSRAMと低および中密度のDRAMです。同社はまた、NORフラッシュ製品および高性能アナログおよびミックスシグナル集積回路を設計し、販売しています。コスト効率の良い高品質な半導体製品を使用して成長の激しい市場をターゲットにし、顧客との長期的な関係を構築しようとしています。彼らは、製造能力の厳しい期間を経ても、密度の低い製品や少量の製品を含むメモリ製品の長期的なサプライヤとしての役割を果たしてきました。

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