IPB035N08N3 G

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IPB035N08N3 G

EXSHINE 部品型番:EX-IPB035N08N3 G
メーカー 部品型番:IPB035N08N3 G
メーカー / ブランド:Infineon Technologies
簡単な説明:MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:IPx035N08N3 G
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 3.5V @ 155µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-2
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 3.5 mOhm @ 100A, 10V
電力消費(最大) 214W (Tc)
パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 IPB035N08N3 GDKR
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 12 Weeks
製造元の部品番号 IPB035N08N3 G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 8110pF @ 40V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 117nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 80V
説明 MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Tc)

その他のパラメータ

標準パッケージ 1
他の名前 IPB035N08N3 GDKR

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