IPB144N12N3 G

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IPB144N12N3 G

EXSHINE 部品型番:EX-IPB144N12N3 G
メーカー 部品型番:IPB144N12N3 G
メーカー / ブランド:Infineon Technologies
簡単な説明:MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G
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IPB144N12N3 G
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 61µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-2
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 14.4 mOhm @ 56A, 10V
電力消費(最大) 107W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 IPB144N12N3 G-ND
IPB144N12N3G
IPB144N12N3GATMA1
SP000694166
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 12 Weeks
製造元の部品番号 IPB144N12N3 G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3220pF @ 60V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 49nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 120V
説明 MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 56A (Ta)

その他のパラメータ

標準パッケージ 1,000
他の名前 IPB144N12N3 G-ND

IPB144N12N3G

IPB144N12N3GATMA1

SP000694166

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