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IPD096N08N3GBTMA1
| EXSHINE 部品型番: | EX-IPD096N08N3GBTMA1 |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | IPD096N08N3GBTMA1 |
| メーカー / ブランド: | Infineon Technologies |
| 簡単な説明: | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | New and unused, Original |
| ドキュメントをダウンロードする: | IPD096N08N3 G |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
IPD096N08N3GBTMA1
在庫あり： 74771 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
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メーカーリードタイム：8-10週間
- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 46µA |
|---|---|
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.6 mOhm @ 46A, 10V |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 他の名前 | IPD096N08N3 G IPD096N08N3 G-ND SP000474196 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | IPD096N08N3GBTMA1 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2410pF @ 40V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 35nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 拡張された説明 | N-Channel 80V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V |
| 説明 | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 73A (Tc) |
その他のパラメータ
| 他の名前 | IPD096N08N3 G IPD096N08N3 G-ND SP000474196 |
|---|---|
| 標準パッケージ | 2,500 |
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ウエスタンユニオン 受信：1〜2時間。 |
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