EXSHINE 部品型番: | EX-IPP65R660CFDXKSA1 |
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メーカー 部品型番: | IPP65R660CFDXKSA1 |
メーカー / ブランド: | Infineon Technologies |
簡単な説明: | MOSFET N-CH 650V 6A TO220 |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
仕様条件: | New and unused, Original |
ドキュメントをダウンロードする: | IPx65R660CFD |
アプリケーション: | - |
重さ: | - |
オルタナティブ: | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 200µA |
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技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO-220-3 |
シリーズ | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
電力消費(最大) | 62.5W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
他の名前 | IPP65R660CFD IPP65R660CFD-ND SP000745026 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks |
製造元の部品番号 | IPP65R660CFDXKSA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 615pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
拡張された説明 | N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
説明 | MOSFET N-CH 650V 6A TO220 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A (Tc) |
標準パッケージ | 500 |
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他の名前 | IPP65R660CFD IPP65R660CFD-ND SP000745026 |
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