IRF1010EZPBF

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IRF1010EZPBF

EXSHINE 部品型番:EX-IRF1010EZPBF
メーカー 部品型番:IRF1010EZPBF
メーカー / ブランド:Infineon Technologies
簡単な説明:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:IRF1010EZ (S,L) PbF
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IRF1010EZPBF
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メーカーリードタイム:8-10週間

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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 100µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 8.5 mOhm @ 51A, 10V
電力消費(最大) 140W (Tc)
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3
他の名前 *IRF1010EZPBF
SP001571244
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 14 Weeks
製造元の部品番号 IRF1010EZPBF
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2810pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 86nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 60V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
説明 MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 75A (Tc)

その他のパラメータ

他の名前 *IRF1010EZPBF

SP001571244
標準パッケージ 50

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