QS5U12TR

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QS5U12TR

EXSHINE 部品型番:EX-QS5U12TR
メーカー 部品型番:QS5U12TR
メーカー / ブランド:LAPIS Semiconductor
簡単な説明:MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:1
ドキュメントをダウンロードする:QS5U12
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QS5U12TR
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メーカーリードタイム:8-10週間

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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 1.5V @ 1mA
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TSMT5
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 100 mOhm @ 2A, 4.5V
電力消費(最大) 1.25W (Ta)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
製造元の部品番号 QS5U12TR
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 175pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 3.9nC @ 4.5V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
拡張された説明 N-Channel 30V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
説明 MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2A (Ta)

その他のパラメータ

標準パッケージ 3,000

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Rohm Semiconductorはじめに

- Teledyne LeCroyは、幅広い業界の企業があらゆるタイプの電子デバイスを設計およびテストできるようにする、オシロスコープ、プロトコルアナライザおよび関連するテストおよび測定ソリューションのリーディングプロバイダです。 1964年の創業以来、エンジニアが設計問題をより迅速かつ効果的に解決できるよう支援することで、生産性を向上させる製品の開発に注力してきました。

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