R6004ENJTL

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R6004ENJTL

EXSHINE 部品型番:EX-R6004ENJTL
メーカー 部品型番:R6004ENJTL
メーカー / ブランド:LAPIS Semiconductor
簡単な説明:MOSFET N-CH 600V 4A LPT
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:R6004ENJ
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R6004ENJTL
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メーカーリードタイム:8-10週間

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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 1mA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ LPTS (D2PAK)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 980 mOhm @ 1.5A, 10V
電力消費(最大) 40W (Tc)
パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 R6004ENJTLDKR
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 17 Weeks
製造元の部品番号 R6004ENJTL
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 250pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 15nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 600V 4A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
説明 MOSFET N-CH 600V 4A LPT
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A (Tc)

その他のパラメータ

標準パッケージ 1
他の名前 R6004ENJTLDKR

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Rohm Semiconductorはじめに

- Teledyne LeCroyは、幅広い業界の企業があらゆるタイプの電子デバイスを設計およびテストできるようにする、オシロスコープ、プロトコルアナライザおよび関連するテストおよび測定ソリューションのリーディングプロバイダです。 1964年の創業以来、エンジニアが設計問題をより迅速かつ効果的に解決できるよう支援することで、生産性を向上させる製品の開発に注力してきました。

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