R6011ENX

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R6011ENX

EXSHINE 部品型番:EX-R6011ENX
メーカー 部品型番:R6011ENX
メーカー / ブランド:LAPIS Semiconductor
簡単な説明:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
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R6011ENX
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 1mA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220FM
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 390 mOhm @ 3.8A, 10V
電力消費(最大) 40W (Tc)
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
他の名前 R6011ENXCT
R6011ENXCT-ND
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 17 Weeks
製造元の部品番号 R6011ENX
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 670pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 32nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
説明 MOSFET N-CH 600V 11A TO220
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11A (Tc)

その他のパラメータ

他の名前 R6011ENXCT

R6011ENXCT-ND
標準パッケージ 500

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Rohm Semiconductorはじめに

- Teledyne LeCroyは、幅広い業界の企業があらゆるタイプの電子デバイスを設計およびテストできるようにする、オシロスコープ、プロトコルアナライザおよび関連するテストおよび測定ソリューションのリーディングプロバイダです。 1964年の創業以来、エンジニアが設計問題をより迅速かつ効果的に解決できるよう支援することで、生産性を向上させる製品の開発に注力してきました。

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