RJU002N06T106

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RJU002N06T106

EXSHINE 部品型番:EX-RJU002N06T106
メーカー 部品型番:RJU002N06T106
メーカー / ブランド:LAPIS Semiconductor
簡単な説明:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:RJU002N06 Datasheet
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RJU002N06T106
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 1.5V @ 1mA
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ UMT3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
電力消費(最大) 200mW (Ta)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
他の名前 RJU002N06T106TR
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
製造元の部品番号 RJU002N06T106
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 18pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs -
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
説明 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 200mA (Ta)

その他のパラメータ

標準パッケージ 3,000
他の名前 RJU002N06T106TR

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Rohm Semiconductorはじめに

- Teledyne LeCroyは、幅広い業界の企業があらゆるタイプの電子デバイスを設計およびテストできるようにする、オシロスコープ、プロトコルアナライザおよび関連するテストおよび測定ソリューションのリーディングプロバイダです。 1964年の創業以来、エンジニアが設計問題をより迅速かつ効果的に解決できるよう支援することで、生産性を向上させる製品の開発に注力してきました。

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