UMD9NTR

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UMD9NTR

EXSHINE 部品型番:EX-UMD9NTR
メーカー 部品型番:UMD9NTR
メーカー / ブランド:LAPIS Semiconductor
簡単な説明:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:EMD9, UMD9N, IMD9A
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UMD9NTR
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製品パラメータ

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ UMT6
シリーズ -
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム) 47k
抵抗 - ベース(R1)(オーム) 10k
電力 - 最大 150mW
パッケージング Original-Reel®
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前 UMD9NDKR
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
製造元の部品番号 UMD9NTR
周波数 - トランジション 250MHz
拡張された説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
説明 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 68 @ 5mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA

その他のパラメータ

他の名前 UMD9NDKR
標準パッケージ 1

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Rohm Semiconductorはじめに

- Teledyne LeCroyは、幅広い業界の企業があらゆるタイプの電子デバイスを設計およびテストできるようにする、オシロスコープ、プロトコルアナライザおよび関連するテストおよび測定ソリューションのリーディングプロバイダです。 1964年の創業以来、エンジニアが設計問題をより迅速かつ効果的に解決できるよう支援することで、生産性を向上させる製品の開発に注力してきました。

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