APT65GP60L2DQ2G

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APT65GP60L2DQ2G

EXSHINE 部品型番:EX-APT65GP60L2DQ2G
メーカー 部品型番:APT65GP60L2DQ2G
メーカー / ブランド:Microsemi
簡単な説明:IGBT 600V 198A 833W TO264
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
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APT65GP60L2DQ2G
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製品パラメータ

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 600V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) 2.7V @ 15V, 65A
試験条件 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃ 30ns/90ns
エネルギーの切り替え 605µJ (on), 895µJ (off)
シリーズ POWER MOS 7®
電力 - 最大 833W
パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA
他の名前 APT65GP60L2DQ2GMI
APT65GP60L2DQ2GMI-ND
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
製造元の部品番号 APT65GP60L2DQ2G
入力タイプ Standard
IGBTタイプ PT
ゲートチャージ 210nC
拡張された説明 IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
説明 IGBT 600V 198A 833W TO264
電流 - コレクタパルス(ICM) 250A
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 198A

その他のパラメータ

他の名前 APT65GP60L2DQ2GMI

APT65GP60L2DQ2GMI-ND
標準パッケージ 25

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