APT8M100B-Microsemi Corporation-APT8M100B-EXSHINE TECHNOLOGYを購入

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APT8M100B

EXSHINE 部品型番:	EX-APT8M100B
メーカー部品型番:	APT8M100B
メーカー / ブランド:	Microsemi
簡単な説明:	MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
フリーステータス/ RoHS状態:	鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:	New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:	APT8M100(B,S)Power Products Catalog
アプリケーション:	-
重さ:	-
オルタナティブ:	-

のリアルタイム可用性

APT8M100B
在庫あり： 34360 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間

同上@ VGS（TH）（最大）	5V @ 1mA
Vgs（最大）	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247 [B]
シリーズ	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	1.8 Ohm @ 4A, 10V
電力消費（最大）	290W (Tc)
パッケージング	Tube
パッケージ/ケース	TO-247-3
他の名前	APT8M100BMI APT8M100BMI-ND
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム	22 Weeks
製造元の部品番号	APT8M100B
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1885pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	60nC @ 10V
FETタイプ	N-Channel
FET特長	-
拡張された説明	N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	1000V (1kV)
説明	MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	8A (Tc)

標準パッケージ	30
他の名前	APT8M100BMI APT8M100BMI-ND

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