APTM100H45STG

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APTM100H45STG

EXSHINE 部品型番:EX-APTM100H45STG
メーカー 部品型番:APTM100H45STG
メーカー / ブランド:Microsemi
簡単な説明:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:APTM100H45STGPower Products Catalog
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APTM100H45STG
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 2.5mA
サプライヤデバイスパッケージ SP4
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 540 mOhm @ 9A, 10V
電力 - 最大 357W
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース SP4
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 22 Weeks
製造元の部品番号 APTM100H45STG
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4350pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 154nC @ 10V
FETタイプ 4 N-Channel (H-Bridge)
FET特長 Standard
拡張された説明 Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1000V (1kV)
説明 MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18A

その他のパラメータ

標準パッケージ 1

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