JAN2N3637-Microsemi Corporation-JAN2N3637-EXSHINE TECHNOLOGYを購入

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JAN2N3637

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JAN2N3637
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メーカーリードタイム：8-10週間

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	175V
IB、IC @ Vce飽和（最大）	600mV @ 5mA, 50mA
トランジスタ型式	PNP
サプライヤデバイスパッケージ	TO-39
シリーズ	Military, MIL-PRF-19500/357
電力 - 最大	1W
パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
他の名前	1086-20890 1086-20890-MIL
運転温度	-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム	23 Weeks
製造元の部品番号	JAN2N3637
周波数 - トランジション	-
拡張された説明	Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39
説明	TRANS PNP 175V 1A
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	100 @ 50mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）	10µA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	1A

他の名前	1086-20890 1086-20890-MIL
標準パッケージ	1

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