JAN2N3867S-Microsemi Corporation-JAN2N3867S-EXSHINE TECHNOLOGYを購入

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JAN2N3867S

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JAN2N3867S
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メーカーリードタイム：8-10週間

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	40V
IB、IC @ Vce飽和（最大）	1.5V @ 250mA, 2.5A
トランジスタ型式	PNP
サプライヤデバイスパッケージ	TO-39 (TO-205AD)
シリーズ	Military, MIL-PRF-19500/350
電力 - 最大	1W
パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
他の名前	1086-20925 1086-20925-MIL
運転温度	-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム	22 Weeks
製造元の部品番号	JAN2N3867S
周波数 - トランジション	-
拡張された説明	Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 3A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
説明	TRANS PNP 40V 3A TO39
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	40 @ 1.5A, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）	100µA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	3A

他の名前	1086-20925 1086-20925-MIL
標準パッケージ	1

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