JAN2N7334-Microsemi Corporation-JAN2N7334-EXSHINE TECHNOLOGYを購入

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JAN2N7334

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JAN2N7334
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メーカーリードタイム：8-10週間

同上@ VGS（TH）（最大）	4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ	MO-036AB
シリーズ	Military, MIL-PRF-19500/597
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	700 mOhm @ 600mA, 10V
電力 - 最大	1.4W
パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	14-DIP (0.300", 7.62mm)
他の名前	JAN2N7334-MIL
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
製造元の部品番号	JAN2N7334
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	-
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	60nC @ 10V
FETタイプ	4 N-Channel
FET特長	Standard
拡張された説明	Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
ソース電圧（VDSS）にドレイン	100V
説明	MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	1A

他の名前	JAN2N7334-MIL
標準パッケージ	1

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