JANTXV1N5554US-Microsemi Corporation-JANTXV1N5554US-EXSHINE TECHNOLOGYを購入

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JANTXV1N5554US

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JANTXV1N5554US
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メーカーリードタイム：8-10週間

電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	1.3V @ 9A
電圧 - 逆（VR）（最大）	1000V (1kV)
サプライヤデバイスパッケージ	D-5B
速度	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ	Military, MIL-PRF-19500/420
逆回復時間（trrの）	2µs
パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	SQ-MELF, B
他の名前	1086-19418 1086-19418-MIL
動作温度 - ジャンクション	-65°C ~ 175°C
装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム	14 Weeks
製造元の部品番号	JANTXV1N5554US
拡張された説明	Diode Standard 1000V (1kV) 3A Surface Mount D-5B
ダイオードタイプ	Standard
説明	DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
電流 - 漏れ@ Vrとリバース	1µA @ 1000V
電流 - 平均整流（イオ）	3A
Vrと、F @キャパシタンス	-

他の名前	1086-19418 1086-19418-MIL
標準パッケージ	1

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