JANTXV2N3740-Microsemi Corporation-JANTXV2N3740-EXSHINE TECHNOLOGYを購入

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JANTXV2N3740

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JANTXV2N3740
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	60V
IB、IC @ Vce飽和（最大）	600mV @ 125mA, 1A
トランジスタ型式	PNP
サプライヤデバイスパッケージ	TO-66 (TO-213AA)
シリーズ	Military, MIL-PRF-19500/441
電力 - 最大	25W
パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	TO-213AA, TO-66-2
他の名前	1086-20906 1086-20906-MIL
運転温度	-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
製造元の部品番号	JANTXV2N3740
周波数 - トランジション	-
拡張された説明	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 4A 25W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
説明	TRANS PNP 60V 4A TO-66
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	30 @ 250mA, 1V
電流 - コレクタ遮断（最大）	10µA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	4A

標準パッケージ	100
他の名前	1086-20906 1086-20906-MIL

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