JANTXV2N3879-Microsemi Corporation-JANTXV2N3879-EXSHINE TECHNOLOGYを購入

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JANTXV2N3879

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JANTXV2N3879
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メーカーリードタイム：8-10週間

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	75V
IB、IC @ Vce飽和（最大）	1.2V @ 400mA, 4A
トランジスタ型式	NPN
サプライヤデバイスパッケージ	TO-66 (TO-213AA)
シリーズ	Military, MIL-PRF-19500/526
電力 - 最大	35W
パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	TO-213AA, TO-66-2
他の名前	1086-20933 1086-20933-MIL
運転温度	-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム	20 Weeks
製造元の部品番号	JANTXV2N3879
周波数 - トランジション	-
拡張された説明	Bipolar (BJT) Transistor NPN 75V 7A 35W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
説明	TRANS NPN 75V 7A TO-66
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	20 @ 4A, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）	25mA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	7A

他の名前	1086-20933 1086-20933-MIL
標準パッケージ	1

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