MRF5812GR2-Microsemi Corporation-MRF5812GR2-EXSHINE TECHNOLOGYを購入

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MRF5812GR2

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MRF5812GR2
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	15V
トランジスタ型式	NPN
サプライヤデバイスパッケージ	8-SO
シリーズ	-
電力 - 最大	1.25W
パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前	MRF5812GR2TR MRF5812R2MITR MRF5812R2MITR-ND
運転温度	-
ノイズ指数（F @デシベル標準）	2dB ~ 3dB @ 500MHz
装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
製造元の部品番号	MRF5812GR2
利得	13dB ~ 15.5dB
周波数 - トランジション	5GHz
拡張された説明	RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
説明	TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	50 @ 50mA, 5V
電流 - コレクタ（Ic）（Max）	200mA

標準パッケージ	2,500
他の名前	MRF5812GR2TR MRF5812R2MITR MRF5812R2MITR-ND

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