MV2N5116-Microsemi Corporation-MV2N5116-EXSHINE TECHNOLOGYを購入

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MV2N5116

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MV2N5116
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メーカーリードタイム：8-10週間

電圧 - イド@カットオフ（VGSオフ）	6V @ 1nA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）	30V
サプライヤデバイスパッケージ	TO-18 (TO-206AA)
シリーズ	Military, MIL-PRF-19500
抵抗 - RDS（ON）	100 Ohm
電力 - 最大	500mW
パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
運転温度	-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
製造元の部品番号	MV2N5116
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	27pF @ 15V
FETタイプ	P-Channel
拡張された説明	JFET P-Channel 25mA @ 15V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
ソース電圧（VDSS）にドレイン	30V
説明	P CHANNEL JFET
電流 - 電圧Vds（VGS = 0）@ドレイン（IDSS）	25mA @ 15V

標準パッケージ	100

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