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2SJ673-AZ

EXSHINE 部品型番:EX-2SJ673-AZ
メーカー 部品型番:2SJ673-AZ
メーカー / ブランド:Renesas Electronics America
簡単な説明:MOSFET P-CH 60V 36A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:2SJ673
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2SJ673-AZ
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) -
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220 Isolated Tab
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 20 mOhm @ 18A, 10V
電力消費(最大) 2W (Ta), 32W (Tc)
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース TO-220-3 Isolated Tab
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
製造元の部品番号 2SJ673-AZ
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4600pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 87nC @ 10V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
拡張された説明 P-Channel 60V 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
説明 MOSFET P-CH 60V 36A TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 36A (Tc)

その他のパラメータ

標準パッケージ 500

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Renesas Electronics Americaはじめに

- RF Digital社は、ほとんどすべてのタイプのアプリケーションに適した構成可能なワイヤレスRFトランスミッタ、レシーバおよびトランシーバモジュールの幅広いラインを製造しています。モジュールは完全に統合されており、高品質で低コストであらゆるアプリケーションに利益をもたらします。 RFDuino製品ラインは、センサ、USB、プロトシールドなどの広範なラインナップのモジュールを提供し、プラグアンドプレイプロトタイプ環境でBluetooth Low Energyをテストします。

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