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NP80N055MHE-S18-AY
| EXSHINE 部品型番: | EX-NP80N055MHE-S18-AY |
|---|---|
| メーカー 部品型番: | NP80N055MHE-S18-AY |
| メーカー / ブランド: | Renesas Electronics America |
| 簡単な説明: | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 仕様条件: | New and unused, Original |
| ドキュメントをダウンロードする: | NP80N055xHE |
| アプリケーション: | - |
| 重さ: | - |
| オルタナティブ: | - |
のリアルタイム可用性
NP80N055MHE-S18-AY
在庫あり： 28430 PCは1〜2日で出荷できます。
将来の在庫：7-10日で12000個。
メーカーリードタイム：8-10週間
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- 説明
- お支払い方法
- 配送方法
- 製品パッケージ
製品パラメータ
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
|---|---|
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11 mOhm @ 40A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta), 120W (Tc) |
| パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks |
| 製造元の部品番号 | NP80N055MHE-S18-AY |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3600pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 拡張された説明 | N-Channel 55V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55V |
| 説明 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
その他のパラメータ
| 標準パッケージ | 1 |
|---|
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Renesas Electronics Americaはじめに
- RF Digital社は、ほとんどすべてのタイプのアプリケーションに適した構成可能なワイヤレスRFトランスミッタ、レシーバおよびトランシーバモジュールの幅広いラインを製造しています。モジュールは完全に統合されており、高品質で低コストであらゆるアプリケーションに利益をもたらします。 RFDuino製品ラインは、センサ、USB、プロトシールドなどの広範なラインナップのモジュールを提供し、プラグアンドプレイプロトタイプ環境でBluetooth Low Energyをテストします。
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