CSD18535KTT

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EXSHINE 部品型番:EX-CSD18535KTT
メーカー 部品型番:CSD18535KTT
メーカー / ブランド:Texas Instruments
簡単な説明:MOSFET N-CH 60V 200A
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 2.4V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DDPAK/TO-263-3
シリーズ NexFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 2 mOhm @ 100A, 10V
電力消費(最大) 300W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 2 (1 Year)
メーカーの標準リードタイム 20 Weeks
製造元の部品番号 CSD18535KTT
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6620pF @ 30V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 81nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 60V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
説明 MOSFET N-CH 60V 200A
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 200A (Ta)

その他のパラメータ

標準パッケージ 500

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