CSD87312Q3E

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CSD87312Q3E

EXSHINE 部品型番:EX-CSD87312Q3E
メーカー 部品型番:CSD87312Q3E
メーカー / ブランド:Texas Instruments
簡単な説明:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
フリーステータス/ RoHS状態:リード線付き/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
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CSD87312Q3E
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将来の在庫:7-10日で12000個。
メーカーリードタイム:8-10週間

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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 1.3V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ 8-VSON (3.3x3.3)
シリーズ NexFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 33 mOhm @ 7A , 8V
電力 - 最大 2.5W
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
他の名前 296-35526-2
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 26 Weeks
製造元の部品番号 CSD87312Q3E
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1250pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 8.2nC @ 4.5V
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特長 Logic Level Gate
拡張された説明 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
説明 MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 27A

その他のパラメータ

標準パッケージ 2,500
他の名前 296-35526-2

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