EXSHINE 部品型番: | EX-HN1A01FE-GR,LF |
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メーカー 部品型番: | HN1A01FE-GR,LF |
メーカー / ブランド: | Toshiba Semiconductor and Storage |
簡単な説明: | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
フリーステータス/ RoHS状態: | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
仕様条件: | New and unused, Original |
ドキュメントをダウンロードする: | HN1A01FE |
アプリケーション: | - |
重さ: | - |
オルタナティブ: | - |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 10mA, 100mA |
トランジスタ型式 | 2 PNP (Dual) |
サプライヤデバイスパッケージ | ES6 |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 100mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
他の名前 | HN1A01FE-GR(5L,F,T HN1A01FE-GR(5LFTTR HN1A01FE-GR(5LFTTR-ND HN1A01FE-GR,LF(B HN1A01FE-GR,LF(T HN1A01FE-GRLF(BTR HN1A01FE-GRLF(BTR-ND HN1A01FE-GRLFTR HN1A01FEGRLFTR HN1A01FEGRLFTR-ND |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks |
製造元の部品番号 | HN1A01FE-GR,LF |
周波数 - トランジション | 80MHz |
拡張された説明 | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 |
説明 | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 200 @ 2mA, 6V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 150mA |
標準パッケージ | 4,000 |
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他の名前 | HN1A01FE-GR(5L,F,T HN1A01FE-GR(5LFTTR HN1A01FE-GR(5LFTTR-ND HN1A01FE-GR,LF(B HN1A01FE-GR,LF(T HN1A01FE-GRLF(BTR HN1A01FE-GRLF(BTR-ND HN1A01FE-GRLFTR HN1A01FEGRLFTR HN1A01FEGRLFTR-ND |
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- Touchstone Semiconductor Inc.は、エレクトロニクス企業にとって重要な問題を解決する高性能アナログ集積回路(IC)ソリューションを開発しています。当社の独自の製品は、アナログ市場の他の場所では見られない独自の機能と性能の組み合わせを提供します。当社の第2の製品はピン互換であり、競合品と同一の仕様であり、堅いソール・ソーシング製品のための理想的な代替品を提供します。 Touchstoneは2010年に設立され、カリフォルニア州ミルピタスに本社を置く。投資家には、Opus CapitalとKhosla Venturesが含まれる。
Touchstone Semiconductor社の使命は、顧客の問題を解決するのに役立つ、クールな高性能アナログICを設計することです。これは、製品の消費電力を低減する超低消費電力の高性能アナログICを開発することで実現しています。