TPN22006NH,LQ

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TPN22006NH,LQ

EXSHINE 部品型番:EX-TPN22006NH,LQ
メーカー 部品型番:TPN22006NH,LQ
メーカー / ブランド:Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明:MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
フリーステータス/ RoHS状態:鉛フリー/ RoHS準拠
仕様条件:New and unused, Original
ドキュメントをダウンロードする:TPN22006NH
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TPN22006NH,LQ
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製品パラメータ

同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 100µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSON Advance (3.3x3.3)
シリーズ U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 22 mOhm @ 4.5A, 10V
電力消費(最大) 700mW (Ta), 18W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
他の名前 TPN22006NH,LQ(S
TPN22006NHLQ
TPN22006NHLQTR
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 12 Weeks
製造元の部品番号 TPN22006NH,LQ
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 710pF @ 30V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 12nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
拡張された説明 N-Channel 60V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
説明 MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Ta)

その他のパラメータ

標準パッケージ 3,000
他の名前 TPN22006NH,LQ(S

TPN22006NHLQ

TPN22006NHLQTR

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Toshiba Semiconductor and Storageはじめに

- Touchstone Semiconductor Inc.は、エレクトロニクス企業にとって重要な問題を解決する高性能アナログ集積回路(IC)ソリューションを開発しています。当社の独自の製品は、アナログ市場の他の場所では見られない独自の機能と性能の組み合わせを提供します。当社の第2の製品はピン互換であり、競合品と同一の仕様であり、堅いソール・ソーシング製品のための理想的な代替品を提供します。 Touchstoneは2010年に設立され、カリフォルニア州ミルピタスに本社を置く。投資家には、Opus CapitalとKhosla Venturesが含まれる。
Touchstone Semiconductor社の使命は、顧客の問題を解決するのに役立つ、クールな高性能アナログICを設計することです。これは、製品の消費電力を低減する超低消費電力の高性能アナログICを開発することで実現しています。

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